型号:ALD114935SAL | 类别:FET - 阵列 | 制造商:Advanced Linear Devices Inc |
封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 描述:MOSFET N-CH 10.6V DUAL 8SOIC |
详细参数
类别 | FET - 阵列 |
---|---|
描述 | MOSFET N-CH 10.6V DUAL 8SOIC |
系列 | EPAD® |
制造商 | Advanced Linear Devices Inc |
FET型 | 2 N 沟道(双)配对 |
FET特点 | 耗尽模式 |
漏极至源极电压(Vdss) | 10.6V |
电流_连续漏极(Id)0a025000C | 12mA |
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 540 欧姆 @ 0V |
Id时的Vgs(th)111最大222 | 3.45V @ 1µA |
闸电荷(Qg)0a0Vgs | - |
输入电容(Ciss)0a0Vds | - |
功率_最大 | 500mW |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
供应商设备封装 | 8-SOIC |
包装 | 管件 |
供应商
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